Typ: BSS84PGehäuse: TO-236-3Hersteller: Infineon TechnologiesHerst.-Abk.: INFAusführung: P-KanalI(d): 170 mAU: 60 VLeistung (max) P(TOT): 360 mWR(DS)(on): 8 ?R(DS)(on) Referenz-Strom: 170 mAR(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 VU(GS)(th) max.: 2 VU(GS)(th) Referenz-Strom max.: 20 µAQ(G): 1.5 nCQ(G) Referenz-Spannung: 10 VC(ISS): 19 pFC(ISS) Referenz-Spannung: 25 VBetriebstemperatur (min.): -55 °CMontageart: OberflächenmontageBetriebstemperatur (max.): +150 °CSerie: SIPMOS®Transistor-Merkmal: Logic Level GateU(DSS): 60 VKategorie: MOSFETKanäle: 1Produkt-Art: MOSFETHersteller-Nr.: BSS84PEAN: - - - - - - - - -E(V): 1000 lx