1000er Pack Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-Kanal 360mW TO-236-3

Typ: BSS84P
Gehäuse: TO-236-3
Hersteller: Infineon Technologies
Herst.-Abk.: INF
Ausführung: P-Kanal
I(d): 170 mA
U: 60 V
Leistung (max) P(TOT): 360 mW
R(DS)(on): 8 ?
R(DS)(on) Referenz-Strom: 170 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) max.: 2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 20 µA
Q(G): 1.5 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
C(ISS): 19 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Montageart: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.): +150 °C
Serie: SIPMOS®
Transistor-Merkmal: Logic Level Gate
U(DSS): 60 V
Kategorie: MOSFET
Kanäle: 1
Produkt-Art: MOSFET
Hersteller-Nr.: BSS84P
EAN: - - - - - - - - -
E(V): 1000 lx