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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-2443429
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPA60R190E6XKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
Leistungsfaktorkorrektur
MOSFET
MOSFET-Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 20.2 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-220
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 34 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, leistungs-mosfet, mosfet 20a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IPA60R190E6XKSA1, 2443429, 244-3429
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