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Infineon CoolMOS E6 IPA60R190E6XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 34 W, 3-Pin TO-220 FP


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Infineon CoolMOS E6 IPA60R190E6XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 34 W, 3-Pin TO-220 FP
Artikel-Nr.:
     822EL-1107172
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPA60R190E6XKSA1
EAN/GTIN:
     5059043412108
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
Leistungsfaktorkorrektur
MOSFET
MOSFET-Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-220 FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 440 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 34 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolMOS E6

Leistungs-MOSFET Infineon Serie CoolMOS™E6/P6. MOSFETs der Serie Infineon CoolMOS ;sup>™ ;/sup> E6 und P6. Diese äußerst effizienten Geräte können in verschiedenen Anwendungen wie der Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Beleuchtung und Verbrauchergeräten sowie für Solartechnik, Telekommunikation und Server verwendet werden.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
20 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Gehäusegröße:
TO-220 FP
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
440 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
3.5V
Gate-Schwellenspannung min.:
2.5V
Verlustleistung max.:
34 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
CoolMOS E6
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, leistungs-mosfet, mosfet 20a, 1107172, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPA60R190E6XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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