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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
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Artikel-Nr.:
     1331-2725940
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFH8318TRPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025 ohm
  • Produktpalette: HEXFET
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 50 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: PQFN
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 59 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, feldeffekttransistor, mosfet 50a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IRFH8318TRPBF, 2725940, 272-5940
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