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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.002 ohm, PowerPAK SO


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-2886992
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQJA76EP-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002 ohm
  • Produktpalette: TrenchFET
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 75 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: PowerPAK SO
  • Drain-Source-Spannung Vds: 40 V
  • Verlustleistung: 68 W
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet 75a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SQJA76EP-T1_GE3, 2886992, 288-6992
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