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Vishay Siliconix TrenchFET SQJA76EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 75 A 66 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-1783722
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQJA76EP-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 75 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.5V
Verlustleistung max. = 66 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 5mm
Automobilstandard = AEC-Q101

TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
75 A
Drain-Source-Spannung max.:
40 V
Gehäusegröße:
PowerPAK SO-8L
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
4
Drain-Source-Widerstand max.:
5 m?
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.5V
Gate-Schwellenspannung min.:
3.5V
Verlustleistung max.:
66 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
±20 V
Breite:
5mm
Automobilstandard:
AEC-Q101
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet 75a, 1783722, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay Siliconix, SQJA76EPT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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