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| Artikel-Nr.: 1331-3977645 Herst.-Nr.: TK12E60W,S1VX(S EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: TO-220 Dauer-Drainstrom Id: 11.5 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CDrain-Source-Spannung Vds: 600 VVerlustleistung: 110 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 11a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, TK12E60W,S1VX(S, 3977645, 397-7645 |
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