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Toshiba TK TK12E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-220


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Toshiba TK TK12E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-220
Artikel-Nr.:
     822EL-1687950
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     TK12E60W,S1VX(S
EAN/GTIN:
     5059041370943
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
toshiba mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 300 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V
Verlustleistung max. = 110 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 4.45mm
Höhe = 15.1mm

MOSFET N-Kanal, Serie TK1x, Toshiba
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
11,5 A
Drain-Source-Spannung max.:
600 V
Gehäusegröße:
TO-220
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
300 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
3.7V
Verlustleistung max.:
110 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-30 V, +30 V
Breite:
4.45mm
Höhe:
15.1mm
Weitere Suchbegriffe: mosfet 11a, 1687950, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK12E60W,S1VX(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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Warenzustand:unbenutzt
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