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| Artikel-Nr.:
4503-54S1015 Herst.-Nr.:
FDMS86255 EAN/GTIN:
4099879034724 |
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| Strom Graben, FDMS86255, onsemi Der FDMS86255 wird in einem fortschrittlichen PowerTrench-Prozess hergestellt, der die Shielded Gate-Technologie beinhaltet. Dieser Prozess wurde für den On-State-Widerstand optimiert und bietet dennoch eine hervorragende Schaltleistung. Weitere Informationen: | | Ausführung: | N-Kanal | Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V: | 12.4 mΩ | Gate Charge Qg @10V (nC): | 29 nC | Gehäuse: | SO-8-FL/Power56 | max. Spannung: | 150 V | max. Strom: | 45 A | max. Temperatur: | 150 °C | min. Temperatur: | -55 °C | Montage: | SMD | SVHC frei: | Ja | RoHS konform: | Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: feldeffekttransistor, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, Schalttransistor, Transistor, FET |
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