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| Artikel-Nr.:
4503-54S1022 Herst.-Nr.:
FDMT1D3N08B EAN/GTIN:
4099879034793 |
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| Strom Graben, FDMT1D3N08B, onsemi Der FDMT1D3N08B wird in einem fortschrittlichen PowerTrench-Prozess hergestellt. Fortschritte in der Silizium- und Dual CoolTM-Gehäusetechnologie wurden kombiniert, um den niedrigsten rDS(on) zu bieten und gleichzeitig eine exzellente Schaltleistung durch einen extrem niedrigen Übergangswiderstand zur Umgebung zu gewährleisten. Features * Fortschrittliche Gehäuse- und Siliziumkombination für niedrigen rDS(on) und hohen Wirkungsgrad * Verbesserte Körperdiodentechnologie der nächsten Generation * Entwickelt für sanfte Erholung * RoHS-konform Anwendungen * Oring FET / Lastschalter * Synchrone Gleichrichtung * DC-DC-Wandlung Weitere Informationen: | | Ausführung: | N-Kanal | Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V: | 1.35 mΩ | Gate Charge Qg @10V (nC): | 186 nC | Gehäuse: | DualCool88 | max. Spannung: | 80 V | max. Strom: | 164 A | max. Temperatur: | 150 °C | min. Temperatur: | -55 °C | Montage: | SMD | SVHC frei: | Ja | RoHS konform: | Ja |
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