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| Artikel-Nr.:
4503-74P1094 Herst.-Nr.:
IXTA3N120 EAN/GTIN:
4099891779597 |
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| MOSFET, IXTA3N120, LITTELFUSE Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis. Features * Internationales Standardgehäuse * Hochspannungsgehäuse * Schnelle intrinsische Diode * Formepoxide erfüllen die Entflammbarkeitsklasse UL 94 V-0 * Hohe Blockierspannung Anwendungen * Hochspannungsnetzteile * Anwendungen mit Kondensatorentladung * Impuls-Schaltungen Weitere Informationen: | | Ausführung: | N-Kanal | Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V: | 4.5 Ω | Gate Charge Qg @10V (nC): | 42 nC | Gehäuse: | TO-263 | max. Spannung: | 1200 V | max. Strom: | 3 A | max. Temperatur: | 150 °C | min. Temperatur: | -55 °C | Montage: | SMD | Verlustleistung W (DC): | 200 W | Ursprungsland: | KR | Gewicht: | 0.0025 kg | SVHC frei: | Ja | RoHS konform: | Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: feldeffekttransistor, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, Schalttransistor, Transistor, FET |
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