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| Artikel-Nr.:
4503-74P1105 Herst.-Nr.:
IXTH12N150 EAN/GTIN:
4099891779702 |
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| MOSFET, IXTH12N150, LITTELFUSE Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis. Features * Internationales Standardgehäuse * Formepoxide erfüllen die Entflammbarkeitsklasse UL 94 V-0 * Schnelle intrinsische Diode * Niedrige Gehäuse-Induktivität Anwendungen * Hochspannungsnetzteile * Anwendungen mit Kondensatorentladung * Impuls-Schaltungen Weitere Informationen: | | Ausführung: | N-Kanal | Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V: | 2.2 Ω | Gate Charge Qg @10V (nC): | 106 nC | Gehäuse: | TO-247 | max. Spannung: | 1500 V | max. Strom: | 12 A | max. Temperatur: | 150 °C | min. Temperatur: | -55 °C | Montage: | THT | Verlustleistung W (DC): | 890 W | Ursprungsland: | PH | Gewicht: | 0.006 kg | SVHC frei: | Ja | RoHS konform: | Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: feldeffekttransistor, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, Schalttransistor, Transistor, FET |
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