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Littelfuse High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor, SMPD, MMIX4B22N


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Produktinformationen
Littelfuse High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor, SMPD, MMIX4B22N
Littelfuse High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor, SMPD, MMIX4B22N
Artikel-Nr.:
     4503-74P1146
Hersteller:
     Littelfuse
Herst.-Nr.:
     MMIX4B22N300
EAN/GTIN:
     4099891780111
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
IGBT
Schalttransistor
Transistor
IGBT, MMIX4B22N300, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT-Transistor mit hoher Spitzenstromfähigkeit, niedriger Sättigungsspannung und Vorteilen wie hoher Leistungsdichte und geringen Gate-Ansteuerungsanforderungen. Features * Siliziumchip auf direkt kupfergebundenem Substrat * Isolierte Montagefläche * Hohe Blockierspannung Anwendungen * Schaltnetzteile und Resonanznetzteile * Kondensator-Entladeschaltungen
Weitere Informationen:
Gehäuse:
SMPD
max. Temperatur:
150 °C
min. Temperatur:
-55 °C
Montage:
SMD
Ursprungsland:
PH
Gewicht:
0.008 kg
SVHC frei:
Ja
RoHS konform:
Ja
Weitere Suchbegriffe: feldeffekttransistor, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, FET, MOSFET
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.