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| Artikel-Nr.:
822EL-1301013 Herst.-Nr.:
IRL6372TRPBF EAN/GTIN:
5059043046914 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 8,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 23 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.1V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.5V
Verlustleistung max. = 2 W
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Breite = 4mm
Höhe = 1.5mm
Zweifacher N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Infineon. Die Zweifach-Leistungs-MOSFETs von Infineon integrieren zwei HEXFET®-Bauelemente für platzsparende, kostengünstige Schaltlösungen bei hoher Bauteildichte für Anwendungen mit beschränktem Platinenplatz. Verschiedene Optionen stehen zur Verfügung, und Designer können die Zweifach-N-Kanal-Konfiguration wählen. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 8,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 23 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.5V | Verlustleistung max.: | 2 W | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Breite: | 4mm | Höhe: | 1.5mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, smd transistor, 1301013, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRL6372TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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