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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8,1A; 2,5W; SO8


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8,1A; 2,5W; SO8
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8,1A; 2,5W; SO8
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IRL6372TRPBF
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRL6372TRPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 8,1A
Widerstand im Leitungszustand: 17,9mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 2,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
Technologie: HEXFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±12V
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.