Nexperia PSMN2R8-40PS,127 N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 100 A 211 W, 3-Pin TO-220

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5,6 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.6V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 211 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 71 nC @ 10 Vmm
Höhe = 4.7mm

N-Kanal-MOSFETs, 40 V – 60 V, MOSFETs mit Logik- und Standardpegel in einer Vielzahl von Gehäusen. Entdecken Sie unsere robusten und einfach zu verwenden MOSFETs im Bereich von 40 V bis 60 V, die Teil unseres massiven Portfolios von MOSFET-Bauelementen sind. Sie eignen sich perfekt für platz- und leistungskritische Anwendungen und bieten exzellente Schaltperformance und einen erstklassigen, sicheren Betriebsbereich (SOA).N-Kanal TO220 40 V, 2,8 mΩ MOSFET für Standardpegel, N-Kanal-MOSFET für Standardpegel in TO220-Gehäuse, qualifiziert bis 175 °C. Dieses Produkt wurde für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen in Industrie-, Kommunikations- und Haushaltsgeräten entwickelt und zugelassen.Hoher Wirkungsgrad aufgrund der geringen Schalt- und Leitungsverluste Robuste Bauweise für anspruchsvolle Anwendungen Gate mit Standardpegel DC/DC-Wandler Schalten von Lasten Motorsteuerung Servernetzteile