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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 797A; 211W


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 797A; 211W
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 797A; 211W
Artikel-Nr.:
     8WUGW-PSMN2R8-40PS.127
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     PSMN2R8-40PS,127
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB;SOT78
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 100A
Widerstand im Leitungszustand: 2,3mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 211W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 71nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 797A
Weitere Suchbegriffe: mosfet 100a, mosfet, to-220 mosfet
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