Nexperia PMXB43UNEZ N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,2 A 8,33 W, 4-Pin DFN1010D-3

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = DFN1010D-3
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 120 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.9V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 8,33 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 8 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 0.36mm

N-Kanal-MOSFETs für ≤ 20 V, Erhalten Sie die optimale Schaltlösungen für Ihren mobilen Designs: Wählen Sie aus einer Vielzahl von Einfach- und Zweifach-N-Kanal-MOSFETs mit bis zu 20 V. Großartige Zuverlässigkeit aufgrund unserer bewährten TrenchMOS- und Gehäusetechnologien. Unsere Niederspannungs-MOSFETs sind einfach zu verwenden und wurden eigens entwickelt, um die Anforderungen mobiler Anwendungen mit niedrigen Treiberspannungen zu erfüllen.N-Kanal Trench-MOSFET für 20 V, N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem extrem kleinen DFN1010D-3 (SOT1215) SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel mit Trench MOSFET-Technologie.Trench MOSFET-Technologie Extrem kleines und dünnes SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm Freiliegendes Drain-Pad für ausgezeichnete Wärmeleitung Sehr niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle von RDSon = 42 mΩ 1 kV ESD-geschützt Low-Side-Lastschalter und Ladeschalter für tragbare Geräte Stromüberwachung in batteriebetriebenen mobilen Geräten LED-Treiber DC/DC-Wandler