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| Artikel-Nr.:
822EL-1709041 Herst.-Nr.:
DMN3016LK3-13 EAN/GTIN:
5059043832852 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 38 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 16 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.3V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.3V
Verlustleistung max. = 2,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 6.7mm
Höhe = 2.39mm
N-Kanal-MOSFET, 30 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 38 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 16 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.3V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.3V | Verlustleistung max.: | 2,8 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 6.7mm | Höhe: | 2.39mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor, 1709041, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN3016LK313, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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