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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13,6A; Idm: 90A; 1,8W; TO252


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMN3016LK3-13
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN3016LK3-13
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: TO252
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 13,6A
Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,8W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 25,1nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 90A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor
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