Microchip VP2450 VP2450N8-G P-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 160 mA 1,6 W, 3-Pin SOT-89

Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 160 mA
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = SOT-89
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 35 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.5V
Verlustleistung max. = 1,6 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Diodendurchschlagsspannung = 1.8V

Dieser (normally off) Transistor mit niedrigem Schwellenwert als Anreicherungstyp verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.Frei von sekundärer Durchschlagsspannung Niedrige Anforderung an die Stromversorgung Einfacher Parallelbetrieb Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung Ausgezeichnete Temperaturstabilität Integrierte Source-Drain-Diode