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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -160mA; Idm: -0,8A; 1,6W


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Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -160mA; Idm: -0,8A; 1,6W
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -160mA; Idm: -0,8A; 1,6W
Artikel-Nr.:
     8WUGW-VP2450N8-G
Hersteller:
     Microchip Technology
Herst.-Nr.:
     VP2450N8-G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Montage: SMD
Gehäuse: SOT89-3
Drain-Source Spannung: -500V
Drainstrom: -0,16A
Widerstand im Leitungszustand: 30Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 1,6W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: -0,8A
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