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| Artikel-Nr.:
822EL-2010859 Herst.-Nr.:
SCTW35N65G2V EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 45 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = SCTW35
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,045 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der STMicroelectronics 650-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET hat einen Nennstrom von 45 A und einen Ablass-/Quellenwiderstand von 45 m Ohm. Er verfügt über einen niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode Niedrige Kapazität Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 45 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | SCTW35 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,045 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, mosfet, 2010859, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, SCTW35N65G2V, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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