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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W; HIP247™

Menge:

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Produktinformationen

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Artikel-Nr.:
8WUGW-SCTW35N65G2V

Hersteller:
ST Microelectronics

Herst.-Nr.:
SCTW35N65G2V

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor

Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: HIP247™
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 45A
Widerstand im Leitungszustand: 68mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 240W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 73nC
Kanal-Art: stark
Drainstrom im Impuls: 90A

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Weitere Suchbegriffe: mosfet

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