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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1,2A; 0,83W; TO92


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Produktinformationen
1000er
1000er
Artikel-Nr.:
     8WUGW-BS170
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     BS170
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: THT
Gehäuse: TO92
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 0,5A
Widerstand im Leitungszustand:
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,83W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: unverpackt
Technologie: DMOS
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 1,2A
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