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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3,2A; 1W; PG-SOT89


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Produktinformationen:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3,2A; 1W; PG-SOT89
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3,2A; 1W; PG-SOT89
Artikel-Nr.:
     8WUGW-BSS606NH6327XTSA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     BSS606NH6327XTSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-SOT89
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 3,2A
Widerstand im Leitungszustand: 90mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1W
Polarisierung: unipolar
Technologie: OptiMOS™ 3
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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