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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0,21A; 0,38W; SOT23


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Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0,21A; 0,38W; SOT23
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0,21A; 0,38W; SOT23
Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMP10H4D2S-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMP10H4D2S-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
diodes mosfet
mosfet
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: -100V
Drainstrom: -0,21A
Widerstand im Leitungszustand:
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 0,38W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: mosfet sot23
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