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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB


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Produktinformationen:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IRF3710PBF
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF3710PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 57A
Widerstand im Leitungszustand: 23mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 200W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 86,7nC
Technologie: HEXFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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