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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IRF510PBF
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRF510PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 4A
Widerstand im Leitungszustand: 0,54Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 43W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 8,3nC
#Werbeaktionen: aac_202202
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.