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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
8WUGW-STD13N60M2
Hersteller:
ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
STD13N60M2
EAN/GTIN:
k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller:
STMicroelectronics
Montage:
SMD
Gehäuse:
DPAK
Drain-Source Spannung:
600V
Drainstrom:
7A
Widerstand im Leitungszustand:
0,38Ω
Transistor-Typ:
N-MOSFET
Verlustleistung:
110W
Polarisierung:
unipolar
Verpackungs-Art:
Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen:
ESD protected gate
Technologie:
SuperMesh™
Kanal-Art:
stark
Gate-Source Spannung:
±25V
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,
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,
smd transistor
,
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