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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1,1A; 1,5W; SOT89


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1,1A; 1,5W; SOT89
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1,1A; 1,5W; SOT89
Artikel-Nr.:
     8WUGW-ZXMN10A07ZTA
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     ZXMN10A07ZTA
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SOT89
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 1,1A
Widerstand im Leitungszustand: 0,9Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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