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Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62,5W; D2PAK (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Kollektor-Emitter-Spannung: 650V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 25A Kollektorstrom im Impuls: 60A Anschaltzeit:...
Infineon
IKB20N65EH5ATMA1
ab € 1,3589*
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Sicherung: PTC Polymer; 4A; 14x20,1mm; 5,1mm; Ø0,81x7,6mm (1 Angebot) 
Hersteller: ECE Ausgangsraster: 5,1mm Betriebstemperatur: -40...85°C Leistung: 2,5W Ausgangsmaße: Ø0,81x7,6mm Nennstrom: 4A Maß A: 14mm Maß E: 3mm Größe F: 1,2mm Sicherungs-Typ: PTC Polymer Sicheru...
E.C.E.
RB400-30
ab € 0,22*
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Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 60A; Idm: 240A; 62,5W (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: SMD Gehäuse: FB (TO252AA) Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 4,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Polarisieru...
SHINDENGEN
P60B4EL-5071
ab € 0,46*
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100%
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0,5A; Idm: 1,5A; 2,5W; SOT223 (1 Angebot) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT223 Drain-Source Spannung: 240V Drainstrom: 0,5A Widerstand im Leitungszustand: 5,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,5W Polarisi...
Diodes
ZVN4424GTA
ab € 0,277*
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Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 12,5A; Idm: 23A (2 Angebote) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: INFINEON TEC...
Infineon
IGT60R190D1SATMA1
ab € 7,71*
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100%
Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62,5W (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: SMD Gehäuse: FB (TO252AA) Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 18,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Polarisie...
SHINDENGEN
P40B10SL-5071
ab € 0,46*
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100%
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1,7A; 0,5W; SOT23 (5 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 1,7A Widerstand im Leitungszustand: 0,23Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,5W Polarisierung: unipola...
onsemi
NDS355AN
ab € 0,143*
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100%
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1,5A; 0,5W; TSOP6 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: TSOP6 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 1,5A Widerstand im Leitungszustand: 0,25Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,5W Pola...
Infineon
BSL214NH6327XTSA1
ab € 0,102*
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100%
Sicherung: PTC Polymer; 500mA; 0805 (1 Angebot) 
Hersteller: ECE Betriebstemperatur: -40...85°C Gehäuse: 0805 Leistung: 0,5W Nennstrom: 0,5A Sicherungs-Typ: PTC Polymer Max. Spannung: 6V Umschaltstrom: 1A Min. Widerstand: 0,15Ω Max. Widerstand: 0...
E.C.E.
SR050-06
ab € 0,138*
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100%
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 8A; Idm: 32A (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: THT Gehäuse: FTO-220AG (SC91) Drain-Source Spannung: 280V Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 0,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 52,5W Polarisi...
SHINDENGEN
P8F28HP2-5600
ab € 0,50*
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100%
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12,5A; Idm: 91A; 2,5W; SO8 (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12,5A Widerstand im Leitungszustand: 14,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,5W Polarisierung: unipola...
onsemi
FDS8876
ab € 0,30*
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100%
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 25A; 1,5W; LSON-CLIP8 (1 Angebot) 
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Montage: SMD Gehäuse: LSON-CLIP8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 25A Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 1,5W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: ...
Texas Instruments
CSD87335Q3DT
ab € 1,01*
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100%
Sicherung: PTC Polymer; 750mA; 2920 (1 Angebot) 
Hersteller: ECE Betriebstemperatur: -40...85°C Gehäuse: 2920 Leistung: 1,5W Nennstrom: 0,75A Sicherungs-Typ: PTC Polymer Max. Spannung: 33V Umschaltstrom: 1,5A Min. Widerstand: 0,18Ω Max. Widerstan...
E.C.E.
SL075-33
ab € 0,121*
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100%
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 6A; Idm: 24A (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: THT Gehäuse: FTO-220AG (SC91) Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 6A Widerstand im Leitungszustand: 1,35Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Polaris...
SHINDENGEN
P6F50HP2-5600
ab € 0,42*
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100%
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2,5W; SO8 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,5W Polar...
Alpha & Omega Semiconductor
AOSP36326C
ab € 0,119*
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