IGBT  (2 836 Angebote unter 20 929 342 Artikeln)Zum Expertenwissen

Dauer-Kollektorstrom max. = 280 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 300 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...

IGBT, IXYN100N120C3H1, Littelfuse Hochgeschwindigkeits-IGBT für das Schalten mit 20-50 kHz, optimiert für niedrige Schaltverluste bei hoher Leistungsdichte und geringem Gate-Ansteuerungsbedarf. Fea...

Versorgungsspannung, min.: 3.5 V Quellstrom: - Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET Produktpalette: - Eingang: - Versorgungsspannung, max.: 15 V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Si...

IGBT, IXYH40N120A4, Littelfuse PT-IGBT mit extrem niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge bis zu 5 kHz, optimiert für niedrige Leitfähigkeit bei hoher Leistungsdichte und geringen Gate-Ansteuerungsa...

Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 V Kontinuierlicher Kollektor...

IGBT, IXYN100N120C3, Littelfuse Hochgeschwindigkeits-IGBT für das Schalten mit 20-50 kHz, optimiert für niedrige Schaltverluste bei hoher Leistungsdichte und geringem Gate-Ansteuerungsbedarf. Featu...

Quellstrom: - Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET Produktpalette: EiceDRIVER 1ED Eingang: - Versorgungsspannung, max.: 17 V Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side IC...

Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 483 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...

IGBT, IXYB82N120C3H1, Littelfuse Hochgeschwindigkeits-IGBT für das Schalten mit 20-50 kHz, optimiert für niedrige Schaltverluste bei hoher Leistungsdichte und geringem Gate-Ansteuerungsbedarf. Feat...

Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05 V Kontinuierlicher Kollekto...

Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 278 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...

IGBT, IXYN100N120B3H1, Littelfuse Extrem lichtdurchlässiger IGBT, optimiert für das Schalten mit 5-30 kHz bei hoher Leistungsdichte und geringem Gate-Ansteuerungsbedarf. Features * Quadratischer RB...

Quellstrom: - Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET Produktpalette: - Eingang: - Versorgungsspannung, max.: 15 V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: ...

Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 305 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...

IGBT, IXYX100N120C3, Littelfuse Hochgeschwindigkeits-IGBT für das Schalten mit 20-50 kHz, optimiert für niedrige Schaltverluste bei hoher Leistungsdichte und geringem Gate-Ansteuerungsbedarf. Featu...