IGBT  (2 838 Angebote unter 17 617 449 Artikeln)

Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = TO-247AD Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguratio...

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5 V ...

IGBT, IXYK120N120C3, Littelfuse Hochgeschwindigkeits-IGBT für das Schalten mit 20-50 kHz, optimiert für niedrige Schaltverluste bei hoher Leistungsdichte und geringem Gate-Ansteuerungsbedarf. Featu...

Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 450 W Gehäusegröße = SOT-227B Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanza...

Quellstrom: - Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET Produktpalette: EiceDRIVER 1ED Eingang: - Versorgungsspannung, max.: 17 V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: - Treiberko...

IGBT, IXGX82N120A3, LITTELFUSE PT-IGBT mit extrem niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge bis zu 3 kHz in einem internationalen Standardgehäuse, optimiert für niedrige Leitungsverluste und mit Vorte...

Dauer-Kollektorstrom max. = 188 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 1150 W Gehäusegröße = PLUS247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanza...

Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Bauform - Transistor: TO-247 Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35 V Kontinuierlicher Kollekto...

IGBT, IXA17IF1200HJ, Littelfuse Der mit dem hochmodernen GenX IGBT-Prozess und einer Extreme-Light-Punch-Through-Designplattform hergestellte Baustein zeichnet sich durch hohe Strombelastbarkeit, H...

Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach Betriebstemperatur min. = -55 °C IGBTs,...

Quellstrom: 200 mA Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 14 Pin(s) Sinkstrom: 350 mA...

IGBT, IXGH30N120B3, LITTELFUSE Hochgeschwindigkeits-PT-IGBTs mit niedrigem Vsat-Wert, die mit 3-20 kHz schalten, optimiert für niedrige Leitungs- und Schaltverluste und mit Vorteilen wie hoher Leis...

Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 180 W Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...

Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 V Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: TO-247AB Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8 V Kontinuierlicher Kollekt...

IGBT, IXGH30N120B3D1, LITTELFUSE Hochgeschwindigkeits-PT-IGBTs mit niedrigem Vsat-Wert, die mit 3-20 kHz schalten, optimiert für niedrige Leitungs- und Schaltverluste und mit Vorteilen wie hoher Le...