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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8,7A; 83,3W; PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8,7A Widerstand im Leitungszustand: 0,42Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83,3W ...
Infineon
IPD65R420CFDBTMA1
ab € 0,86*
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Infineon HEXFET AUIRFR9024NTRL N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 11 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 11 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,000175 Ω Channel-Modus =...
Infineon
AUIRFR9024NTRL
ab € 1,09*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62,5W; PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 6A Widerstand im Leitungszustand: 0,66Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Po...
Infineon
IPD65R660CFDATMA1
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13,8A; 104W; PG-TO262-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: PG-TO262-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 13,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,28Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W ...
Infineon
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Infineon HEXFET AUIRFS4115-7TRL N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 105 A, 7-Pin D2PAK-7 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 105 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = D2PAK-7 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0118 O Channel-Modus = Enhan...
Infineon
AUIRFS4115-7TRL
ab € 3,74*
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Infineon HEXFET IRF7507TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,7 A; 2,4 A 1,25 W, 8-Pin MSOP (1 Angebot) 
Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 1,7 A; 2,4 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = MSOP Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 140 mΩ, 270 mΩ Channel-M...
Infineon
IRF7507TRPBF
ab € 0,34*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13,8A; 104W; PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO263-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 13,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,28Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W ...
Infineon
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Infineon HEXFET AUIRFS8409-7TRL N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 522 A, 7-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 522 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 0,00075 Ω Channel-Modus = Enhancement G...
Infineon
AUIRFS8409-7TRL
ab € 3,64*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7,3A; 63W; PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 7,3A Widerstand im Leitungszustand: 0,6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 63W Pol...
Infineon
IPD65R600C6BTMA1
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Infineon HEXFET IRF2807STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 82 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 82 A Drain-Source-Spannung max. = 75 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,013 Ω Gate-Schwellenspa...
Infineon
IRF2807STRLPBF
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IRF6646TRPBF
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AUIRFR48ZTRL
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pro 3 000 Stück
 
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Infineon HEXFET IRF1010ESTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 84 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 84 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,012 Ω Channel-Modus = E...
Infineon
IRF1010ESTRLPBF
ab € 0,86*
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