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Infineon IPW80R280P7 Transistor 800 V (2 Angebote)
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IPW80R280P7XKSA1
ab € 1,60*
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Infineon HEXFET IRF1310NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 42 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 36 mΩ Channel-Modus = Enhancem...
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IRF1310NPBF
ab € 0,88*
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Infineon IPA032N06N3 G Transistor 30 V (1 Angebot)
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Infineon Hall-Effekt-Sensor Schalter SMD Bipolar SOT-23 3-Pin (1 Angebot) 
Montage-Typ = SMD Magnet-Typ = Bipolar Gehäusegröße = SOT-23 Pinanzahl = 3
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20,2A; 151W; PG-VSON-4 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-VSON-4 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 20,2A Widerstand im Leitungszustand: 0,19Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 151W P...
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Infineon HEXFET AUIRF1404STRL N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 162 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 162 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,004 O Channel-Modus = ...
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Infineon IPS65R1K4C6 Transistor 800 V (1 Angebot)
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IPS65R1K4C6AKMA1
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Infineon Hall-Effekt-Sensor Schalter SMD Unipolar SOT-23 3-Pin (1 Angebot) 
Montage-Typ = SMD Magnet-Typ = Unipolar Gehäusegröße = SOT-23 Pinanzahl = 3 Die Infineon TLI496x-Serie ist ein integrierter Hall-Effekt-Sensor, der speziell für hochgenaue Anwendungen entwickelt wu...
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Infineon HEXFET AUIRF2804STRL7P N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 320 A, 7-Pin D2PAK-7 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 320 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = D2PAK-7 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0016 Ω Channel-Modus = Enhanc...
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Infineon IPD65R950CFD Transistor 800 V (1 Angebot)
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IPD65R950CFDATMA1
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Infineon Hall-Effekt-Sensor SMD Bipolar SOT-23 3-Pin (1 Angebot) 
Montage-Typ = SMD Magnet-Typ = Bipolar Gehäusegröße = SOT-23 Pinanzahl = 3 Die hochpräzise Hall-Effekt-Verriegelung für Verbraucher von Infineon, die von ungeregelter Stromversorgung betrieben wird...
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TLV49613MXTSA1
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31,2A; 277,8W; PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO263-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 31,2A Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 277,8...
Infineon
IPB65R110CFDATMA1
ab € 3,94*
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Infineon HEXFET AUIRF5210STRL P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 38 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 38 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,06 Ω Gate-Schwellenspa...
Infineon
AUIRF5210STRL
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Infineon IPP65R065C7 Transistor 650 V (1 Angebot)
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IPP65R065C7XKSA1
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Infineon IRF2907ZS Transistor 100 V (1 Angebot)
Infineon
IRF2907ZSTRLPBF
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