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  mosfet 100v  (891 gefilterte Angebote unter 17 338 210 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"MOSFET"

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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 104A; Idm: 200A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 104A Widerstand im Leitungszustand: 7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Ar...
Vishay
SIDR668ADP-T1-RE3
ab € 4 458,78*
pro 3 000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 10,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung...
Vishay
SIR804DP-T1-GE3
ab € 4 165,11*
pro 3 000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO263 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 41mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 150W Polarisierung: unipolar...
Vishay
SUM60N10-17-E3
ab € 912,856*
pro 800 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 131A Widerstand im Leitungszustand: 6,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 200W Polarisierung: unip...
Vishay
SUP70060E-GE3
ab € 1,77*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SIJH5100E-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 277 A, 4-Pin 8 x 8L (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 277 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = 8 x 8L Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SIJH5100E-T1-GE3
ab € 7 411,86*
pro 2 000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 37,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung: unipola...
Vishay
SUD35N10-26P-E3
ab € 1 566,46*
pro 2 000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 58,8A; Idm: 150A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 58,8A Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 56,8W Polarisierung: unipolar Verpackungs...
Vishay
SIJ470DP-T1-GE3
ab € 1 845,18*
pro 3 000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 8,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung:...
Vishay
SIR846DP-T1-GE3
ab € 4 011,87*
pro 3 000 Stück
 
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Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263-7 Bereitschaftszeit: 77ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 130A Widerstand im Leitungszustand: 9,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36...
IXYS
IXTA130N10T7
ab € 2,25*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 77ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 130A Widerstand im Leitungszustand: 9,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 360W...
IXYS
IXTA130N10T
ab € 2,10*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 77ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 130A Widerstand im Leitungszustand: 9,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 360W...
IXYS
IXTA130N10T-TRL
ab € 2,31*
pro Stück
 
 Stück
ROHM RSR010N10HZGTL N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1 A, 3-Pin SOT-346T (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = SOT-346T Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
RSR010N10HZGTL
ab € 0,22*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm (1 Angebot) 
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Montage: SMD Gehäuse: VSON-CLIP8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 195W Polaris...
Texas Instruments
CSD19532Q5BT
ab € 1,61*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 539A; 306W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;SOT404 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 13,22mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 306W Polarisier...
Nexperia
PSMN5R6-100BS,118
ab € 1,86*
pro Stück
 
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,17A; 0,36W; SOT23 (1 Angebot) 
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 0,17A Widerstand im Leitungszustand: 6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,36W Polarisi...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
MMFTN123
ab € 0,28*
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