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MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
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MOSFET-Transistor
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Vishay EF SIHH070N60EF-T1GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 23 A, 36 A., 4-Pin PowerPAK 8 x 8
(1 Angebot)
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 23 A, 36 A. Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = PowerPAK 8 x 8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,071 Ω Channel-M...
Vishay
SIHH070N60EF-T1GE3
ab € 3,52*
pro Stück
Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 21A; 95W
(1 Angebot)
Hersteller: SHINDENGEN Montage: THT Gehäuse: FTO-220AG (SC91) Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 7A Widerstand im Leitungszustand: 1,7Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Ver...
SHINDENGEN
P7F90VX3-5600
ab € 1,02*
pro Stück
Stück
Vishay IRFR020TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 14 A DPAK (TO-252)
(1 Angebot)
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 14 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD
Vishay
IRFR020TRPBF
ab € 0,64*
pro Stück
Stück
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO251S3
(1 Angebot)
Hersteller: WAYON Montage: THT Gehäuse: TO251S3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 5A Widerstand im Leitungszustand: 1,14Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42W Polarisierung: unipolar...
WAYON
WMG07N65C2
ab € 0,258*
pro Stück
Stück
Vishay SI3438DV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 7,4 A TSOP-6
(1 Angebot)
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 7,4 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = TSOP-6 Montage-Typ = SMD
Vishay
SI3438DV-T1-GE3
ab € 1 149,93*
pro 3 000 Stück
Packung
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251S3
(1 Angebot)
Hersteller: WAYON Montage: THT Gehäuse: TO251S3 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 6A Widerstand im Leitungszustand: 940mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 45W Polarisierung: unipolar...
WAYON
WMG09N60C2
ab € 0,28*
pro Stück
Stück
Vishay EF SIHH186N60EF-T1GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10 A, 16 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
(1 Angebot)
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 10 A, 16 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = PowerPAK 8 x 8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,193 Ω Channel-Mo...
Vishay
SIHH186N60EF-T1GE3
ab € 2,25*
pro Stück
Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 250W; TO3PN
(1 Angebot)
Hersteller: TOSHIBA Montage: THT Gehäuse: TO3PN Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 9A Widerstand im Leitungszustand: 1,3Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 250W Polarisierung: unipolar...
Toshiba
TK9J90E,S1E(S
ab € 2,33*
pro Stück
Stück
Vishay IRFR220PBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 4,8 A DPAK (TO-252)
(1 Angebot)
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4,8 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD
Vishay
IRFR220PBF
ab € 0,42*
pro Stück
Stück
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO251
(1 Angebot)
Hersteller: WAYON Montage: THT Gehäuse: TO251 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 6A Widerstand im Leitungszustand: 940mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 45W Polarisierung: unipolar V...
WAYON
WMP09N65C2
ab € 0,245*
pro Stück
Stück
Vishay IRFZ44PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 50 A TO-220AB
(1 Angebot)
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 50 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT
Vishay
IRFZ44PBF
ab € 1,08*
pro Stück
Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 18mA; 400mW; TO72; THT
(1 Angebot)
Hersteller: NTE Electronics Gehäuse: TO72 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 18mA Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,4W Polarisierung: unipolar Elektrische Montage: THT Eigenschaften v...
NTE Electronics
NTE221
ab € 8,78*
pro Stück
Stück
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO252
(1 Angebot)
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: WAYON Montag...
WAYON
WMO10N60C2
ab € 0,31*
pro Stück
Stück
Vishay EF SIHP186N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A, 18 A., 3-Pin TO-220AB
(1 Angebot)
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 12 A, 18 A. Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,193 Ω Channel-Modus =...
Vishay
SIHP186N60EF-GE3
ab € 1,99*
pro Stück
Stück
Vishay IRFR9010TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 5,3 A DPAK (TO-252)
(1 Angebot)
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 5,3 A Drain-Source-Spannung max. = 50 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD
Vishay
IRFR9010TRPBF
ab € 732,58*
pro 2 000 Stück
Packung
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