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  MOSFET-Transistor  (25 746 Angebote unter 17 223 199 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"MOSFET-Transistor"

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Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; komplementäres Paar; 30/-30V (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DFN3x3 EP Struktur des Halbleiters: gemeinsamer Drain Drain-Source Spannung: 30/-30V Drainstrom: 5,5/-11,5A Widerstand im Leitungszusta...
Alpha & Omega Semiconductor
AON7611
ab € 0,36*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SiHB125N60EF SIHB125N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 25 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 25 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Serie = SiHB125N60EF Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,125 Ω Channel-Modus = Enhanceme...
Vishay
SIHB125N60EF-GE3
ab € 1,87*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 4,5/-2,7A; 2,3/2,7W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 100/-100V Drainstrom: 4,5/-2,7A Widerstand im Leitungszustand: 57/183mΩ Transistor-Typ: N/P-MOSFET Verlustleistung: 2,3/2,7W Pola...
Vishay
SI4590DY-T1-GE3
ab € 0,38*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SIA4446DJ-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 31 A, 7-Pin SC-70 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 31 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = SC-70 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SIA4446DJ-T1-GE3
ab € 1 033,80*
pro 3 000 Stück
 
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Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; komplementäres Paar; 30/-30V (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30/-30V Drainstrom: 6,5/-6A Widerstand im Leitungszustand: 20/22mΩ Transistor-Typ: N/P-MOSFET Verlustleistun...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4616
ab € 0,205*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SIHB150N60E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 22 A, 3-Pin TO-263 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 22 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = TO-263 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SIHB150N60E-GE3
ab € 128,08*
pro 50 Stück
 
 Packung
Vishay SIHP054N65E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 47 A, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 47 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SIHP054N65E-GE3
ab € 10,72*
pro Stück
 
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Vishay SiHA105N60EF SIHA105N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A, 3-Pin TO-220 FP (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 29 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Serie = SiHA105N60EF Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,102 Ω Channel-Modus = Enhanceme...
Vishay
SIHA105N60EF-GE3
ab € 1 601,23*
pro 1 000 Stück
 
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Vishay SIA483ADJ-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10,6 A PowerPAK SC-70 (2 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 10,6 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PowerPAK SC-70 Montage-Typ = SMD
Vishay
SIA483ADJ-T1-GE3
ab € 304,80*
pro 3 000 Stück
 
 Packung
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; komplementäres Paar; 30/-30V (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DFN5x6 Drain-Source Spannung: 30/-30V Drainstrom: 16/-12,5A Widerstand im Leitungszustand: 14/22mΩ Transistor-Typ: N/P-MOSFET Verlustle...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6661
ab € 0,28*
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 Stück
Vishay SIHP085N60EF-GE3 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 34 A, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 34 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Vishay
SIHP085N60EF-GE3
ab € 4,69*
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Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; komplementäres Paar; 30/-30V (1 Angebot) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30/-30V Drainstrom: 5,4/-6,4A Widerstand im Leitungszustand: 0,035/0,048Ω Transistor-Typ: N/P-MOSFET Verlustleistung...
Diodes
ZXMC3A16DN8TC
ab € 0,62*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SIHB085N60EF-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 650 V / 34 A, 3-Pin TO-263 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 34 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-263 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Vishay
SIHB085N60EF-GE3
ab € 153,77*
pro 50 Stück
 
 Packung
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; komplementäres Paar; 30/-30V (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TO252-4 Struktur des Halbleiters: gemeinsamer Drain Drain-Source Spannung: 30/-30V Drainstrom: 8/-9,4A Widerstand im Leitungszustand: 2...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD607A
ab € 0,207*
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 Stück
Vishay SIHP155N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 21 A, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 21 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SIHP155N60EF-GE3
ab € 4,28*
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