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"MOSFET"

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Vishay N-Channel 40 V SQJ138ELP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 315 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 l (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 315 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = PowerPAK 8 x 8 l Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 2.1 Ω Gate-Schwellensp...
Vishay
SQJ138ELP-T1_GE3
ab € 0,74*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 145ns Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 22A Widerstand im Leitungszustand: 0,145Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 3...
IXYS
IXFP22N65X2M
ab € 2,45*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 12A; 86W; TO252 (1 Angebot) 
Hersteller: WAYON Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 620mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 86W Polarisierung: unipolar ...
WAYON
WMO12N80M3
ab € 1,03*
pro Stück
 
 Stück
Vishay P-Channel 12 V SQJ123ELP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 137 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 l (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 137 A Drain-Source-Spannung max. = 12 V Serie = P-Channel 12 V Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0066 Ω Gate-Schwellenspannung...
Vishay
SQJ123ELP-T1_GE3
ab € 1,07*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 26A; 170W; TO220AB (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 105ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 26A Widerstand im Leitungszustand: 66mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 170...
IXYS
IXFP26N30X3
ab € 2,37*
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 Stück
Vishay SI6968BEDQ-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 5,2 A TSSOP-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5,2 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = TSSOP-8 Montage-Typ = SMD
Vishay
SI6968BEDQ-T1-E3
ab € 1 281,09*
pro 3 000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 12A; 86W; TO251 (1 Angebot) 
Hersteller: WAYON Montage: THT Gehäuse: TO251 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 620mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 86W Polarisierung: unipolar ...
WAYON
WMP12N80M3
ab € 0,58*
pro Stück
 
 Stück
Vishay N-Channel 40 V SQJQ148ER-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 372 A, 8-Pin PowerPAK 8 x 8 LR (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 372 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = N-Channel 40 V Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0031 Ω Gate-Schwellenspannung...
Vishay
SQJQ148ER-T1_GE3
ab € 1,68*
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Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 40W; TO220AB (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 164ns Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 34A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 40W...
IXYS
IXFP34N65X2M
ab € 4,03*
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Vishay IRL640PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 17 A TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 17 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT
Vishay
IRL640PBF
ab € 1,20*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 13A; 130W; TO220-3 (1 Angebot) 
Hersteller: WAYON Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 13A Widerstand im Leitungszustand: 0,48Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 130W Polarisierung: unipol...
WAYON
WMK13N80M3
ab € 1,38*
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Vishay P-Channel 30 V SQJQ131EL-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 280 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 l (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 280 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Serie = P-Channel 30 V Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0022 Ω Gate-Schwellenspannung...
Vishay
SQJQ131EL-T1_GE3
ab € 2,06*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 26A; 170W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 105ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 26A Widerstand im Leitungszustand: 66mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 170W ...
IXYS
IXFA26N30X3
ab € 2,34*
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Vishay SI7465DP-T1-E3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 3,2 A PowerPAK SO-8 (2 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 3,2 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8 Montage-Typ = SMD
Vishay
SI7465DP-T1-E3
ab € 0,46*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 13A; 130W; TO262 (1 Angebot) 
Hersteller: WAYON Montage: THT Gehäuse: TO262 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 13A Widerstand im Leitungszustand: 0,48Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 130W Polarisierung: unipolar...
WAYON
WMN13N80M3
ab € 0,74*
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