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"MOSFET"

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Vishay SI4151DY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12,1 A, 8-Pin SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 12,1 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8
Vishay
SI4151DY-T1-GE3
ab € 0,77*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 34W; TO220FP (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220FP Bereitschaftszeit: 90ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 34W ...
IXYS
IXFP38N30X3M
ab € 3,29*
pro Stück
 
 Stück
Vishay P-Channel 20 SQA401CEJW-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,75 A, 7-Pin PowerPAK SC-70W-6L. (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 3,75 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Serie = P-Channel 20 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 0,2 Ω Gate-Schwellenspannung max...
Vishay
SQA401CEJW-T1_GE3
ab € 334,44*
pro 3 000 Stück
 
 Packung
Vishay SI5517DU-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6 A PowerPAK ChipFET (1 Angebot) 
Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 6 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = PowerPAK ChipFET Montage-Typ = SMD
Vishay
SI5517DU-T1-GE3
ab € 0,45*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; komplementäres Paar; 30/-30V (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DFN5x6 Drain-Source Spannung: 30/-30V Drainstrom: 10,5/-12,5A Widerstand im Leitungszustand: 14/22mΩ Transistor-Typ: N/P-MOSFET Verlust...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6667
ab € 0,256*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SiHA105N60EF SIHA105N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A, 3-Pin TO-220 FP (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 29 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Serie = SiHA105N60EF Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,102 Ω Channel-Modus = Enhanceme...
Vishay
SIHA105N60EF-GE3
ab € 1,96*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SI4155DY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,2 A, 8-Pin SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 8,2 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8
Vishay
SI4155DY-T1-GE3
ab € 0,45*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 115ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 56A Widerstand im Leitungszustand: 27mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 320W ...
IXYS
IXFA56N30X3
ab € 4,67*
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 Stück
Vishay SI5936DU-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A PowerPAK ChipFET (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 6 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PowerPAK ChipFET Montage-Typ = SMD
Vishay
SI5936DU-T1-GE3
ab € 0,26*
pro Stück
 
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Vishay SIHB085N60EF-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 650 V / 34 A, 3-Pin TO-263 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 34 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-263 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Vishay
SIHB085N60EF-GE3
ab € 4,96*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 155ns Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 0,31Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 180W...
IXYS
IXFA12N65X2
ab € 2,16*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SI4948BEY-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,4 A 8-SOIC (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2,4 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = 8-SOIC Montage-Typ = SMD
Vishay
SI4948BEY-T1-E3
ab € 0,65*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 36W; TO220FP (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220FP Bereitschaftszeit: 100ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 72A Widerstand im Leitungszustand: 19mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36W...
IXYS
IXFP72N30X3M
ab € 5,27*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-4 Bereitschaftszeit: 180ns Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 52mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 780...
IXYS
IXFH60N65X2-4
ab € 7,79*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SI6968BEDQ-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 5,2 A TSSOP-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5,2 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = TSSOP-8 Montage-Typ = SMD
Vishay
SI6968BEDQ-T1-E3
ab € 0,37*
pro Stück
 
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