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"MOSFET"

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 90A; 104W; Power56 (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: Power56 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 39A Widerstand im Leitungszustand: 24,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung: unip...
onsemi
FDMS3662
ab € 1,70*
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 Stück
Vishay SI7414DN-T1-E3 MOSFET (1 Angebot) 
MOSFET
Vishay
SI7414DN-T1-E3
ab € 1 667,31*
pro 3 000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 15A; 35W; WDFN8 (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: WDFN8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 212mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 35W Polarisierung: unipolar...
onsemi
FDMC3612-L701
ab € 0,46*
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 Stück
Vishay SiA471DJ-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 30,3 A 19,2 W, 6-Pin PowerPAK SC-70 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 30,3 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PowerPAK SC-70 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 6 Drain-Source-Widerstand max. = 24 mΩ Channel-Modus = E...
Vishay
SiA471DJ-T1-GE3
ab € 0,18*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SIP32431DR3-T1GE3 MOSFET (1 Angebot) 
MOSFET
Vishay
SIP32431DR3-T1GE3
ab € 0,23*
pro Stück
 
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 400A; 40W; QFN5x6 (1 Angebot) 
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: QFN5x6 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 39A Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Ver...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI045N10PQ-AQ
ab € 0,63*
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 Stück
Vishay SIA4263DJ-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A PowerPAK SC-70 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 12 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PowerPAK SC-70 Montage-Typ = SMD
Vishay
SIA4263DJ-T1-GE3
ab € 0,32*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SI7898DP-T1-E3 MOSFET (1 Angebot) 
MOSFET
Vishay
SI7898DP-T1-E3
ab € 1 946,88*
pro 3 000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; Idm: 72A; 79W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: THT Gehäuse: TO220AB;SOT78 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 13A Widerstand im Leitungszustand: 243mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 79W Polarisierung...
Nexperia
PHP18NQ10T,127
ab € 0,70*
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Vishay SIR182LDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 130 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 130 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8
Vishay
SIR182LDP-T1-RE3
ab € 1,58*
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Vishay SIA4371EDJ-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9 A PowerPAK SC-70 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PowerPAK SC-70 Montage-Typ = SMD
Vishay
SIA4371EDJ-T1-GE3
ab € 0,27*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 56A; 88W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 14A Widerstand im Leitungszustand: 0,16Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 88W Polarisierung: un...
Vishay
IRF530STRLPBF
ab € 0,41*
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 Stück
Vishay SIA931DJ-T1-GE3 MOSFET (1 Angebot) 
MOSFET
Vishay
SIA931DJ-T1-GE3
ab € 0,124*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 110W; TO252 (1 Angebot) 
Hersteller: BRIDGELUX Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 23A Widerstand im Leitungszustand: 38mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 110W Polarisierung: unipo...
Bridgelux
BXF380N10D
ab € 0,30*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SIR188LDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 93,6 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 93,6 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8
Vishay
SIR188LDP-T1-RE3
ab € 0,96*
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