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  MOSFET  (25 770 Angebote unter 20 929 143 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"MOSFET"

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 266A; 182W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;SOT404 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 47A Widerstand im Leitungszustand: 41mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Verlustl...
Nexperia
BUK9615-100E,118
ab € 1,24*
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Vishay SIB4317EDK-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4,5 A PowerPAK SC-75 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 4,5 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PowerPAK SC-75 Montage-Typ = SMD
Vishay
SIB4317EDK-T1-GE3
ab € 0,24*
pro Stück
 
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Vishay SiHA17N80AEF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 6,5 A, 3-Pin TO-220 FP (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 6,5 A Drain-Source-Spannung max. = 850 V Gehäusegröße = TO-220 FP Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SiHA17N80AEF-GE3
ab € 2,71*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 186A; 157W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;SOT404 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 32A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Verlustl...
Nexperia
BUK9629-100B,118
ab € 0,92*
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Vishay SiR584DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 100 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 100 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8
Vishay
SiR584DP-T1-RE3
ab € 0,96*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 274A; 195W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 48A Widerstand im Leitungszustand: 41,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbra...
Nexperia
BUK7Y15-100EX
ab € 0,81*
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Vishay SIDR104AEP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 90,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 90,5 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8DC Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8
Vishay
SIDR104AEP-T1-RE3
ab € 1,88*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 194A; Idm: 1,2kA; 425W; HSOF-8 (1 Angebot) 
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: HSOF-8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 194A Widerstand im Leitungszustand: 2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 425W Polarisi...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI280N10TL
ab € 2,23*
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Vishay SIHA22N60E-E3 MOSFET (1 Angebot) 
MOSFET
Vishay
SIHA22N60E-E3
ab € 3,07*
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Vishay SiR588DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 59,9 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 59,9 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8
Vishay
SiR588DP-T1-RE3
ab € 0,51*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; D2PAK,TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4A Widerstand im Leitungszustand: 760mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 43W Polarisierung: uni...
Vishay
SIHL510STRL-GE3
ab € 0,38*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6 (1 Angebot) 
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: QFN5x6 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 6,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 60W Polarisi...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI100N10PQ
ab € 0,78*
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Vishay SiDR220EP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 415 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 415 A Drain-Source-Spannung max. = 25 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8DC Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8
Vishay
SiDR220EP-T1-RE3
ab € 3,08*
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Vishay SIHB055N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 46 A D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 46 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD
Vishay
SIHB055N60EF-GE3
ab € 3,98*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 350mA; Idm: 2A; 1W; TO92 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Montage: THT Gehäuse: TO92 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 0,35A Widerstand im Leitungszustand: 3Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1W Polarisierun...
Microchip Technology
TN0110N3-G-P002
ab € 0,65*
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