Schalttransistor  (13 686 Angebote unter 17 607 609 Artikeln)Zum Expertenwissen

Transistor-Typ = NPN Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 60 V Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-Konfigurat...

Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25 V Betriebstemperatur, m...

IGBT, IXBK64N250, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizient...

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 8 A Kollektor-Emitter-Spannung = 150 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 2 W Gleichstromverstärkung min. = 40 Transistor-K...

Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 V Betriebstemperatur, ma...

IGBT, IXGH25N250, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT mit hoher Spitzenstromfähigkeit, einem elektrisch isolierten Tab, einer niedrigen Sättigungsspannung und einer robusten NPT-Struktur. Features * ...

Transistor-Typ = PNP Dauer-Kollektorstrom max. = 2 A Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Transistor-Kon...

Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 V Betriebstemperatur, ma...

IGBT, IXGK75N250, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT mit sehr hoher Spitzenstromfähigkeit, niedriger Sättigungsspannung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzerspar...

Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -6 A Kollektor-Emitter-Spannung = –100 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 20 W Gleichstromverstärkung min. = 15 Tr...

Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250 MHz Kollektor-Em...

IGBT, IXBX64N250, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizient...

Transistor-Typ = NPN Dauer-Kollektorstrom max. = 8 A Kollektor-Emitter-Spannung = 60 V Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-Konfigurati...

Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 V Betriebstemperatur, ma...

IGBT, IXBH10N300HV, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizie...