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  Schalttransistor  (23 116 Angebote unter 20 929 081 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Schalttransistor"

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Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 37A; 300W; 200ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: ISOPLUS247™ Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 37A Widerstand im Leitungszustand: 95mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung:...
IXYS
IXFR64N50P
ab € 11,86*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTA144EQCZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTA144EQCZ
ab € 101,20*
pro 5 000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO220AB (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 36A Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 30...
IXYS
IXTP36N30P
ab € 2,19*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTC123JQCZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTC123JQCZ
ab € 101,40*
pro 5 000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO3P (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO3P Bereitschaftszeit: 130ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 15mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 480W ...
IXYS
IXTQ110N10P
ab € 4,11*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTA123JQBZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1110D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTA123JQBZ
ab € 0,0409*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264 (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 140A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,04...
IXYS
IXFK140N30P
ab € 13,37*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTC143EQB-QZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1110D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTC143EQB-QZ
ab € 0,0517*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1,1kV; 24A; Idm: 100A; 500W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1,1kV Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 0,29Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 500W...
IXYS
MMIX1F40N110P
ab € 45,19*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTC114EQBZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1110D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTC114EQBZ
ab € 0,041*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263 (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 36A Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W...
IXYS
IXTA36N30P
ab € 2,27*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO3P (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO3P Bereitschaftszeit: 120ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 75A Widerstand im Leitungszustand: 25mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 360W P...
IXYS
IXTQ75N10P
ab € 2,26*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTA123JQCZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTA123JQCZ
ab € 0,0409*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO3P; 330ns (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO3P Bereitschaftszeit: 330ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 69A Widerstand im Leitungszustand: 49mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 500W P...
IXYS
IXTQ69N30P
ab € 5,40*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTC143EQC-QZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTC143EQC-QZ
ab € 0,0814*
pro Stück
 
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