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"Transistor"

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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3,3kV; 26A; Idm: 100A; 381W (3 Angebote) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Montage: THT Gehäuse: TO247-4 Drain-Source Spannung: 3,3kV Drainstrom: 26A Widerstand im Leitungszustand: 0,105Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 381W Pola...
Microchip Technology
MSC080SMA330B4
ab € 107,70*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 60A; Idm: 200A; 370W (1 Angebot) 
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Montage: THT Gehäuse: TO247-4 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 43mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 370W Polarisi...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M25120Q
ab € 15,61*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9,5A; Idm: 42A (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 9,5A Widerstand im Leitungszustand: 0,23Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 130W Polaris...
ST Microelectronics
STP22N60M6
ab € 1,74*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 14A; Idm: 48A; 134W (1 Angebot) 
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 14A Widerstand im Leitungszustand: 0,285Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 134W Polari...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M160120B
ab € 6,16*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W; TO247 (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 13A Widerstand im Leitungszustand: 139mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 75W Polarisi...
Infineon
IMW65R107M1HXKSA1
ab € 4,85*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 71A; 428W; TO247-4 (1 Angebot) 
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Montage: THT Gehäuse: TO247-4 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 71A Widerstand im Leitungszustand: 39mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 428W Polarisi...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M20120Q
ab € 16,81*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M9; unipolar; 650V; 35A; Idm: 170A (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 245W Polarisie...
ST Microelectronics
STP65N045M9
ab € 6,93*
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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 22A; TO263-7 (1 Angebot) 
Hersteller: LITTELFUSE Montage: SMD Gehäuse: TO263-7 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 22A Widerstand im Leitungszustand: 0,16Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Verpackungs-A...
Littelfuse
LSIC1MO120T0160-TU
ab € 6,76*
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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 63mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisi...
Infineon
IMW65R048M1HXKSA1
ab € 4,92*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 80A; Idm: 280A; 455W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Montage: THT Gehäuse: TO247-4 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 80A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 455W Polari...
Microchip Technology
MSC017SMA120B4
ab € 36,34*
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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 5A Widerstand im Leitungszustand: 0,55Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 70W Polarisier...
ST Microelectronics
STP10NM60N
ab € 0,90*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 24A; Idm: 60A; 134W (2 Angebote) 
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO247-4 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 137mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 134W Polaris...
ROHM Semiconductor
SCT3105KRC14
ab € 10,11*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W (2 Angebote) 
Hersteller: Wolfspeed(CREE) Montage: SMD Gehäuse: D2PAK-7 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 26A Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 136W Polarisierun...
Wolfspeed
C3M0060065J
ab € 10,14*
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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 3,7A; Idm: 9,2A; 35W (2 Angebote) 
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO3PFM Drain-Source Spannung: 1,7kV Drainstrom: 3,7A Widerstand im Leitungszustand: 1,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 35W Polarisie...
ROHM Semiconductor
SCT2H12NZGC11
ab € 3,69*
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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8,2A; Idm: 52A (3 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 8,2A Widerstand im Leitungszustand: 0,285Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 110W Polari...
ST Microelectronics
STP18NM60N
ab € 0,86*
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