IGBT, IXXN200N60B3, Littelfuse Extrem lichtdurchlässiger IGBT, optimiert für das Schalten mit 10-30 kHz, mit Kurzschlussfähigkeit und hoher Strombelastbarkeit. Features * Platz RBSOA * Avalanche be...
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDW30N60T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW30N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente f...
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDNW30N60H3, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW30N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente...
IGBT, IXGK320N60B3, LITTELFUSE Mittelschneller PT-IGBT mit niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge von 5-40 kHz, optimiert für niedrige Leitungs- und Schaltverluste und mit Vorteilen wie hoher Leist...