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  Transistor  (23 116 Angebote unter 20 929 143 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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Nexperia PDTA143ZQBZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1110D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTA143ZQBZ
ab € 101,45*
pro 5 000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12,6A; 140W (3 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 12,6A Widerstand im Leitungszustand: 135mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 140W Polari...
ST Microelectronics
STP26NM60N
ab € 2,42*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia MJD2873-QJ SMD, NPN Transistor 50 V / 2 A, DPAK (TO-252) (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 2 A Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 120
Nexperia
MJD2873-QJ
ab € 0,134*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3,6A; Idm: 8A; 100W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 560ns Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 3,6A Widerstand im Leitungszustand: 3,4Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 10...
IXYS
IXTP4N80P
ab € 1,32*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTC114YQCZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTC114YQCZ
ab € 0,0407*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264 (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Bereitschaftszeit: 100ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 200A Widerstand im Leitungszustand: 7,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 800...
IXYS
IXTK200N10P
ab € 8,79*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 2,2kV; 0,38A; Idm: 1,2A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247HV Bereitschaftszeit: 1,1µs Drain-Source Spannung: 2,2kV Drainstrom: 0,38A Widerstand im Leitungszustand: 80Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1...
IXYS
IXTH06N220P3HV
ab € 10,12*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTA143ZQCZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTA143ZQCZ
ab € 101,40*
pro 5 000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; 70W; IPAK (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: IPAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 5A Widerstand im Leitungszustand: 0,55Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 70W Polarisierung...
ST Microelectronics
STU10NM60N
ab € 0,54*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia MJD41C-QJ SMD, NPN Transistor 100 V / 6 A, DPAK (TO-252) (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 6 A Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 30
Nexperia
MJD41C-QJ
ab € 0,22*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1,2kV; 1,4A; Idm: 3A; 86W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 900ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 1,4A Widerstand im Leitungszustand: 13Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 86W ...
IXYS
IXTA1R4N120P
ab € 2,86*
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 Stück
Nexperia PDTC115EU,115 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 20 mA, UMT 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 20 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = UMT Montage-Typ = SMD Transistor-Konfiguration = Einfach Basis-Emitter Spannung max. = 10 V Pina...
Nexperia
PDTC115EU,115
ab € 0,0205*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 120ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 75A Widerstand im Leitungszustand: 25mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 360W ...
IXYS
IXTA75N10P
ab € 2,46*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3 (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 0,36Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 33...
IXYS
IXFH16N50P3
ab € 3,37*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8,2A; 30W (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220FP Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 8,2A Widerstand im Leitungszustand: 0,285Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 30W Polaris...
ST Microelectronics
STF18NM60N
ab € 1,20*
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