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"MOSFET"

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: THT Gehäuse: TO220AB;SOT78 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 65A Widerstand im Leitungszustand: 23,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 230W Polarisieru...
Nexperia
PSMN009-100P,127
ab € 1,82*
pro Stück
 
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Infineon HEXFET IRLS4030TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 190 A, 7-Pin D2PAK-7 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 190 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 4,1 mO Gate-Schwellenspannung max. = 2...
Infineon
IRLS4030TRL7PP
ab € 2,62*
pro Stück
 
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Infineon
IAUA120N04S5N014AUMA1
ab € 1 578,72*
pro 2 000 Stück
 
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Infineon IPA IPA030N10NF2SXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 83 A, 3-Pin TO-220 FP (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 83 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = IPA Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,003 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-S...
Infineon
IPA030N10NF2SXKSA1
ab € 2,13*
pro Stück
 
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Infineon
IPP083N10N5AKSA1
ab € 0,88*
pro Stück
 
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 693A; Idm: 693A; 405W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: THT Gehäuse: TO220AB;SOT78 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 693A Widerstand im Leitungszustand: 4,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 405W Polarisieru...
Nexperia
PSMN4R8-100PSEQ
ab € 2,93*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IAUA120N04S5N014AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 120 A PG-HSOF-5 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 120 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = PG-HSOF-5 Montage-Typ = SMD
Infineon
IAUA120N04S5N014AUMA1
ab € 0,92*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 87A; 375W; D2PAK,TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 87A Widerstand im Leitungszustand: 9,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 375W Polarisierung: u...
Vishay
SUM110N10-09-E3
ab € 2,34*
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Infineon IPA029N06NM5SXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 87 A, 3-Pin TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 87 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IPA029N06NM5SXKSA1
ab € 1,55*
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Infineon IAUA200N04S5N010AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 200 A PG-HSOF-5 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 200 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = PG-HSOF-5 Montage-Typ = SMD
Infineon
IAUA200N04S5N010AUMA1
ab € 1,17*
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Infineon
IRFSL4410ZPBF
ab € 1,58*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 89A; Idm: 355A; 211W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: THT Gehäuse: TO220AB;SOT78 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 89A Widerstand im Leitungszustand: 23,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 211W Polarisieru...
Nexperia
PSMN9R5-100PS,127
ab € 1,45*
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Infineon IPA60R180P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 18 A, 3-Pin TO-220 FP (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 18 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = TO-220 FP Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IPA60R180P7XKSA1
ab € 1,41*
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 Stück
Infineon IAUA250N04S6N007EAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 250 A PG-HSOF-5 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 250 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = PG-HSOF-5 Montage-Typ = SMD
Infineon
IAUA250N04S6N007EAUMA1
ab € 1,89*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9,8A; Idm: 62,4A; 50W; DPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 9,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 50W Polarisierung: unipolar ...
onsemi
FQD19N10TM
ab € 0,41*
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