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"MOSFET"

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Infineon IPA60R280P6XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 13,8 A PG-TO 220 FullPAK (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13,8 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = PG-TO 220 FullPAK Montage-Typ = THT
Infineon
IPA60R280P6XKSA1
ab € 1,12*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 79A; 41W; TO220FP (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO220FP Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 79A Widerstand im Leitungszustand: 3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 41W Polarisi...
Infineon
IPA030N10N3GXKSA1
ab € 3,33*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IAUC100N04S6L014ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 40 V / 100 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 100 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IAUC100N04S6L014ATMA1
ab € 0,83*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 110A; 517W; TO263; 64ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 64ns Drain-Source Spannung: 120V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 14mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 517W ...
IXYS
IXTA110N12T2
ab € 1,94*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 156W; 76ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: ISOPLUS i4-pac™ x024d Bereitschaftszeit: 76ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 90A Widerstand im Leitungszustand: 7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustl...
IXYS
IXTF200N10T
ab € 6,72*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPA80R280P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 17 A, 3-Pin TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 17 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IPA80R280P7XKSA1
ab € 2,15*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IAUC100N04S6L025ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 40 V / 100 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 100 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8
Infineon
IAUC100N04S6L025ATMA1
ab € 0,68*
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 Stück
Infineon IPAN60R180P7SXKSA1, THT MOSFET Transistor / 18 A, 3-Pin PG-TO220 (1 Angebot) 
Dauer-Drainstrom max. = 18 A Gehäusegröße = PG-TO220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IPAN60R180P7SXKSA1
ab € 0,94*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
IPA60R180P7XKSA1
ab € 1,11*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IAUC100N10S5L040ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 100 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IAUC100N10S5L040ATMA1
ab € 1,63*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
IAUC80N04S6N036ATMA1
ab € 1 473,85*
pro 5 000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 400A; 187W; TO220AB (1 Angebot) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 99A Widerstand im Leitungszustand: 3,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 187W Polaris...
Diodes
DMTH10H005SCT
ab € 1,39*
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 Stück
Infineon IPB IPB180P04P4L02ATMA2 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A, 7-Pin D2PAK-7 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 180 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = IPB Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0024 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-...
Infineon
IPB180P04P4L02ATMA2
ab € 2,49*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IAUC80N04S6N036ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 20 V / 80 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8
Infineon
IAUC80N04S6N036ATMA1
ab € 0,55*
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Infineon
IPI147N12N3GAKSA1
ab € 0,63*
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